%0 Journal Article
%T Monte Carlo法模拟亚微米GaAs MESFET直流特性
%A 赵鸿麟
%A 李斌桥
%A 陈弘达
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量的电子在漏区进入能量较高的X带能谷.电子浓度的分布表明,电子的过冲过程主要发生在栅下沟道区,因而,在这一区域,电子的平均漂移速度较高.但在漏区由于电子处于有效质量大的X带能谷中,因此,在这一区域内,电子的平均漂移速度降低.
%K GaAs
%K MESFET
%K 蒙特卡罗法
%K 直流特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7F0076E513A932FC&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=E158A972A605785F&sid=CC0ECB9C52F1B85F&eid=F9F74EC1AA08A7B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=2