%0 Journal Article
%T 多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响
%A 张国强
%A 严荣良
%A 余学锋
%A 罗来会
%A 任迪远
%A 赵元富
%A 胡浴红
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FD0F0F7BEC06C200&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=08B2E838F29A693A&eid=C230D48775108CE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0