%0 Journal Article %T 1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器 %A 张佰君 %A 孙伟 %A 衣茂斌 %A 申智渊 %A 李德辉 %A 苗忠礼 %A 高鼎三 %J 半导体学报 %D 1998 %I %X 本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种1.3μmInGaAsP/InP大功率激光器结构-选择性质子轰击掩埋新月型激光器(SPB-BC).文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量.它的最低阈值电流小于10mA,对于n-InP衬底,它的最大输出功率为65mW,p-InP衬底,最大输出功率为80mW.在重复频率为2.1GHz时,测得光脉冲的半宽度(FWHM)为18ps. %K 半导体激光器 %K SPB-BC %K MOCVD %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9519F2CA069AC4C630AEAF3EC41B8578&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=25467A5A28500A25&eid=C4BBAD7A2DCC89BC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2