%0 Journal Article %T 非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究 %A 刘莉 %A 秦福 %J 半导体学报 %D 1998 %I %X 本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. %K 半导体 %K 硅片 %K 非晶硅 %K PECVD法 %K 吸除技术 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2E0868B2720108BA&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E49BED2EA9A8956B&eid=1918ADDC93A85779&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2