%0 Journal Article
%T CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si
%A 郭辉
%A 郭维廉
%A 郑云光
%A 黎晨
%A 陈培毅
%A 李树荣
%A 吴霞宛
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表明 :其工作波长范围为 0 .7～ 1.1μm,在峰值响应波长为 0 .93μm,响应度为 0 .38A/W.在3.0 V的偏压下 ,其暗电流小于 1n A,寄生电容小于 1.0 p F,上升时间为 2 .5 ns.其良好的光电特性以及与 CMOS工艺的兼容性 ,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试 ,在高速光信号探测等应用中有一定的价值
%K SOI
%K SiGe
%K p-i-n光电探测器
%K 光探测
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8D6DF82458DA0456A6F39B3186E4D495&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7801E6FC5AE9020C&eid=A04140E723CB732E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4