%0 Journal Article
%T 低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
%A 徐遵图
%A 徐俊英
%A 杨国文
%A 张敬明
%A 陈昌华
%A 何晓曦
%A 陈良惠
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％．
%K 量子阱激光器
%K 分子束外延
%K 低阈值电流密度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E9C0965D1DCFAEAA&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=4AD4BA66429F5627&eid=90612DF06FCE4D55&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1