%0 Journal Article
%T Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究
%A 李慧
%A 马辉
%A 丁维清
%A 秦复光
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成．实验结果表明：所得β-FeSi2（101）或（110）面基本平行于Si（111）面，验证了Si（111）上β-FeSi2外延薄膜的形成；并对失配度做了精确的计算；薄膜形貌呈岛屿状分布，同时分析了生长条件对薄膜形貌的影响．
%K 外延生长
%K 半导体材料
%K 硅
%K 衬底
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C97448F67C89B9A3FC&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=7ABC4505E3960D2B&eid=DC330B09A33F1455&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=3