%0 Journal Article
%T 短周期GaAs／AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验
%A 莫党
%A 谭健华
%A 陈宗圭
%A 杨小平
%A 张鹏华
%A 张伟
%A 陈良尧
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 我们制备了Ｍ＝２，４，６和１０的一系列短周期（ＧａＡｓ）Ｍ／（ＡｌＡｓ）Ｍ厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱．对这些样品的光频介电函数港进行了分析，并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对Ｍ＝４，６和１０的超晶格样品作出的，并给出相应的介电函数谱曲线．在光子能量３．５～４．５ｅＶ范围的Ｅ１峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征，与理论计算结果相一致实验谱中的Ｅ１峰比理论谱要强些，不同Ｍ值的超晶格样品之间的Ｅ１峰之差异也大于理论结果。
%K 砷化镓
%K 砷化铝
%K 超晶格
%K 介电函数谱
%K 光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=893F025D0D4D0088&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=245EE63BFE8F8B66&eid=B60458D1AE87BCD1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8