%0 Journal Article
%T X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度
%A 曹福年
%A 卜俊鹏
%A 吴让元
%A 郑红军
%A 惠峰
%A 白玉珂
%A 刘明焦
%A 何宏家
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BC2AB8897FBB197399BD2F5DCD22F44C&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=20C9FB8C7B4A22AD&eid=DB7B2C790D19BE6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0