%0 Journal Article
%T 稀土铒的掺入对光晶体管性能的改善
%A 孙成城
%A 何淑芳
%A 江剑平
%A 黄小康
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上，和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从60～70小时减至3～4小时，同时获得了高纯度的铟镓砷外延层和高质量的异质结．用于光晶体管使其光增益高达4000，和未使用铒吸杂剂相比增加近3倍．
%K 光晶体管
%K 铒
%K 掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6E93AC4BD007428C&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=6920A1020E13BE87&eid=FE6645F2371CA43C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8