%0 Journal Article
%T MBE生长Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱
%A 叶海
%A 陈云良
%A 王海龙
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有着良好的纵向元素分布．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6668966CAA14C9F9&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BFE7933E5EEA150D&eid=0401E2DB1F51F8DE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0