%0 Journal Article
%T InP系波导和光电探测器单片集成
%A 杨易
%A 陈兴国
%A 程宗权
%A 王惠民
%A 吕章德
%A 蒋惠英
%A 王晨
%A 施惠英
%A 吴学海
%A 朱祖华
%A 胡征
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
%K 磷化铟
%K 光波导
%K 光电探测器
%K 单片集成
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6CC5000E4E2A28BD&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=987EDA49D8A7A635&eid=318E4CC20AED4940&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0