%0 Journal Article
%T Si中Ge量子点的光致发光
%A 胡冬枝
%A 朱海军
%A 蒋最敏
%A 黄大鸣
%A 张翔九
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散．
%K 硅
%K 锗
%K 量子点
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E62D63659365B84A&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=384C451D3BE0C38C&eid=27A5865B8C0B85C3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=0