%0 Journal Article
%T 砷化镓SJFET四端器件
%A 任新国
%A 欧海疆
%A 王渭源
%A 夏冠群
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文提出一种由Ｍ－ＳＳｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓＳＪＰＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓＳＪＦＥＴ四端器件．实验结果表明，该器件可通过上、下两个栅分别调控，实现器件阈值电压连续可调．该器件极易获得稳定、重复的Ｅ－和Ｄ－ＭＥＳＦＥＴ，可望在ＧａＡｓ集成电路中得到应用．
%K 砷化镓
%K SJFET
%K 四端器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=424278F8C600D94F&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=94C357A881DFC066&sid=5A6705FDACED0BF9&eid=3622B70F9C54A9CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3