%0 Journal Article
%T 应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
%A 邹吕凡
%A 王占国
%A 孙殿照
%A 张靖巍
%A 李建平
%A 孔梅影
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CB613025100792FB&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=CF6CB42CFF3D4C4E&eid=50EA2A80A7D254EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0