%0 Journal Article
%T 低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器
%A 徐遵图
%A 杨国文
%A 肖建伟
%A 徐俊英
%A 张敬明
%A 郑婉华
%A 瞿伟
%A 陈良惠
%A 毕可奎
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．
%K 量子进激光器
%K 背形波导
%K 砷化镓
%K AlGaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A209F1F395B2A72&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4720E9D07E8A2290&eid=3B2BF7AC5674E8E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3