%0 Journal Article
%T 8mm Pulse High Power IMPATT Oscillators<br>八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器
%A Yang Yufen/stitute of Semiconductors
%A Academia Sinica Zhang Huanghe/stitute of Semiconductors
%A Academia Sinica Wang Baoqiang/stitute of Semiconductors
%A Academia Sinica Hou Menghuei/stitute of Semiconductors
%A Academia Sinica Wu Xiaodong/stitute of Semiconductors
%A Academia Sinica Peng Bin/stitute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A <br>杨玉芬
%A 张黄河
%A 王保强
%A 侯梦会
%A 吴晓东
%A 彭斌
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。
%K Oscillator
%K Millimeter wave solid state source
%K Modulator<br>雪崩管
%K 振荡器
%K 固态微波源
%K 调制器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F07EAFD4C306700D&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=70E3F4DEB0172F14&eid=C7B13290323C226E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0