%0 Journal Article
%T 利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究
%A 陈茂瑞
%A 陈坤基
%A 姜建功
%A 施伟华
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究．
%K 硅
%K 薄膜
%K 逐层生长
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3E5474306A073646&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=50B6AC44200581A5&eid=D33D61F62E4C72A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5