%0 Journal Article
%T 纳米硅薄膜界面结构的微观特征
%A 何宇亮
%A 褚一鸣
%A 王中怀
%A 刘湘娜
%A 白春礼
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．
%K 硅薄膜
%K 界面结构
%K 特征
%K 纳米硅薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C72FA38D61A9E0F1&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=4F2F18DD6F870C2C&eid=67969BA850333433&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=7