%0 Journal Article
%T GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器
%A 庄婉如
%A 杨培生
%A 陈纪瑛
%A 李建中
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.
%K GaAs／GaAlAS
%K 离子刻蚀
%K 腔面
%K 激光器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E381C32203533E4A&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=F18BA6286A889C1C&eid=283B38DAD0D068F3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3