%0 Journal Article
%T GaAs/AlGaAs量子阱中的Г-X混和及谐振态和非限定态的研究
%A 薛舫时
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级随势阱和势垒层宽变化的关系.阐述了超薄层量子阱和非限定态的一些有趣的特性.在此基础上提出了一个超晶格能带的形成模型并对最新的一些实验结果给出了恰当的解释.
%K GaAs/AlGaAs量子阱
%K Г-X混和
%K 谐振态
%K 非限定态
%K 超薄层量子阱
%K 超晶格能带模型
%K 单带双谷理论
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9B5F6A638528EE73&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8C8D39B86A1EED4F&eid=A9C78B2A6AAEEAAD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0