%0 Journal Article
%T 一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法
%A 陈之昀
%A 刘晓卫
%A 卫建林
%A 谭长华
%A 许铭真
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点，提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法．并讨论了界面馅饼的影响．研究结果表明，对于长沟器件，该方法的系统误差小于1．3％．与C－V法的对照实验表明，两者的结果偏差小于5％．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71C66510FEBD05AB&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=693E1FFD7BD946DF&eid=51E4ADE955550A0C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0