%0 Journal Article
%T 掺氧非晶硅的正电子寿命研究
%A 史志强
%A 刘克源
%A 王学恩
%A 刘兴胜
%A 杨子强
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬挂键和微空洞等方面讨论了氧掺杂对非晶硅薄膜微观结构的影响．
%K 非晶硅
%K 掺氧
%K 正电子寿命
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E8BEAF557329AEF2&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A9C78B2A6AAEEAAD&eid=FCB110411B6339D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4