%0 Journal Article
%T Performance of 1064nm RCE Photodetectors<br>1064nm RCE探测器光电响应特性分析
%A Peng Hongling
%A Zhang Hao
%A HAN Qin
%A Yang Xiaohong
%A Du Yun
%A Ni Haiqiao
%A Tong Cunzhu
%A Niu Zhichuan
%A Zheng Houzhi
%A Wu Ronghan
%A <br>彭红玲
%A 章昊
%A 韩勤
%A 杨晓红
%A 杜云
%A 倪海桥
%A 佟存柱
%A 牛智川
%A 郑厚植
%A 吴荣汉
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片，并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%，谱线半宽6～7nm，峰值波长1059nm；而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%，谱线半宽5nm，峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系，对两种结构器件的吸收进行了比较，发现虽然量子点探测器的吸收小，但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的Ｉ-Ｖ特性．
%K resonant-cavity-enhanced
%K photodetector
%K quantum well
%K quantum dot<br>谐振腔增强型
%K 光电探测器
%K 量子阱
%K 量子点
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EFD05C78339D3EEF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8A00F45CB16DF49C&eid=96BBFE99B0E6FBB3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7