%0 Journal Article
%T δ掺杂的赝形HEMTs　AlGaAs／InGaAs／GaAs傅里叶变换光致发光光谱
%A 沈文忠
%A 唐文国
%A 李自元
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴｓ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ中的傅里叶变换光致发光光谱．观察到了ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带的强发光峰以及ｎ＝２电子子带到浅受主的弱发光峰，由于费米能级处在高于ｎ＝２电子子带的位置上，没有观察到属于费米边的发光峰，证实了理论上所预言的δ掺杂ＨＥＭＴＳ系统具有转移效率高的优点．
%K HEMTS
%K 砷化镓铝
%K 砷化镓
%K 傅里叶变换
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7E54D36CA23A28FC&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=725C082EB6FD280F&eid=C79A3F06E2AC5B9E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5