%0 Journal Article
%T 用硅化物作注入阻挡层形成浅结
%A 鲍希茂
%A 严海
%A 茅保华
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p~+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi_2薄膜后,穿过TiSi_2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P~+-n结。TiSi_2薄膜既作为离子注入时的阻挡层,减小离子注入深度,又作为器件的电极及互联引线。这是一种自对准工艺。
%K 半导体器件
%K P－N结
%K 离子注入
%K 硅化物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=00D00905568CC74F&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=869B6F3117981EC4&eid=5F8BAECF36EB55E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4