%0 Journal Article
%T SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究
%A 马晓翠
%A 闫大卫
%A 吴军
%A 王宗昌
%A 邹慧珠
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E62A7E4666E78C74&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3E3EF0DB5E6F2DA9&eid=4C2B9916B58305BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0