%0 Journal Article
%T 短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET''s大信号电容模型
%A 程玉华
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=28077920028F8EE2D0387C06480C4F65&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=B4E8EA49DAAEB84F&eid=B8F8200D88DDC7D6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0