%0 Journal Article
%T 像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响
%A 张向东
%A 李有成
%A 孙小均
%A 魏成文
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在考虑像势影响的情况下，利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能，给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线．结果表明：考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Ｓｔａｒｋ效应的影响是很必要的，而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Ｓｔａｒｋ效应的影响是相反的．
%K 量子阱
%K 像势
%K Stark效应
%K 超晶格
%K 类氢杂质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=684CC2ACBBE976B1&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=5D311CA918CA9A03&sid=B4F9D541F855CF96&eid=CDC418F38C4BFD60&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9