%0 Journal Article
%T 采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究
%A 黄宜平
%A 李爱珍
%A 蒋美萍
%A 邹斯洵
%A 李金华
%A 竺士炀
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄ＳＯＩ结构进行了分析，结果表明其顶层硅膜单晶性好，硅膜和埋层氧化层界面平整．实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件．在硅膜厚约为８０ｎｍ的ＴＦＳＯＩ材料上制备了ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ，输出特性良好．
%K 氧化硅
%K SOI
%K CMOS
%K 硅膜
%K 结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2D79DE3B839C3795&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=89F76E117E9BDB76&eid=D767283A3B658885&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4