%0 Journal Article
%T GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性
%A 凌震
%A 靳彩霞
%A 俞根才
%A 王杰
%A 沈孝良
%A 张保平
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大，并对其发光峰位进行了理论计算
%K 砷化镓
%K 晶格生长
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=462C4D0A049EFA5A&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=08805F9252973BA4&eid=6700D0D256586E73&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1