%0 Journal Article
%T 阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响
%A 陈效双
%A 万明芳
%A 刘兴权
%A 窦红飞
%A 陆卫
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子线荧光的影响．通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减少直接生长样品存在的缺陷和无序等，从而减小量子线非辐射复合；另一方面，无序等涨落的消除减小槽边量子阱对光生载流子的局域化，导致大量的光生载流子从槽边量子阱输运到量子线中产生相对于无阳极氧化非常增强的荧光信号．考虑量子线横向宽度的变化作为微扰，采用简单模型理论上计算给出与实验完全一致的结果
%K 砷化镓
%K 镓铝砷化
%K 阳极氧化
%K 量子线
%K 荧光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6395C376530FFD7D&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=AA76E167F386B6B3&eid=80A07035DF96B0C4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0