%0 Journal Article
%T 导电高分子能带的Wannier函数方法
%A 刘晶南
%A 童国平
%A 傅荣堂
%A 孙鑫
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 导电高分子的Peierls不稳定性会在费米面上产生能隙,它将半满能带分裂成价带和导带,并使体系变为半导体.本文给出了在二聚化的基础上利用Wannier函数来计算导电高分子能带的一般方法,由此可改进紧束缚近似下的SSH 模型.我们把这一方法应用于聚乙炔链并采用二聚化的一维方势阱模型,其结果是极为令人满意的.
%K 导电
%K 高分子能带
%K Wannier函数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=41591E52D1AFC43F&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FCACFF68346F8D4F&eid=3FC4D669D19FF0C6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2