%0 Journal Article
%T Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析
%A 杨得全
%A 范垂祯
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论.
%K AlGaAs
%K 俄歇电子谱
%K 定量分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B1212B74062CF2F7A1414&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=389DA78D878702A9&eid=E57FE519484CFB70&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=7