%0 Journal Article
%T Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子
%A 张树霖
%A 金鹰
%A 秦国刚
%A 盛篪
%A 周国良
%A 周铁成
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=226CC481578F930CE421BAB9CC8562C6&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A6683C8C0EB9BCA7&eid=30F3EEEA29E34EE7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0