%0 Journal Article
%T 1550nm Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifier Based on AlGaInAs-InP<br>AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器(英文)
%A Ma Hong
%A Zhu Guangxi
%A Yi Xinjian
%A <br>马宏
%A 朱光喜
%A 易新建
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了 1 5 5 0 nm Al Ga In As- In P偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 - 0 .4 0 % .器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 .经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 .3d B,3d B带宽为 5 6 nm.半导体光放大器小信号增益近 2 0 d B,带宽大于 5 5 nm.在 1 5 0 0～ 1 5 90 nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 .8d B,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2 d Bm.
%K polarization
%K insensitive
%K AlGaInAs
%K InP
%K optical amplifier
%K MOCVD<br>偏振无关
%K AlGaInAs-InP
%K 光放大器
%K MOCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8EC174E5E7A25A8E&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=04EA291949415E08&eid=0B9C8D3D9D6254B2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9