%0 Journal Article
%T Si(111)碳化层中的SiC结晶
%A 雷天民
%A 陈治明
%A 马剑平
%A 余明斌
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构，发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C－SiC结晶层和富碳的3C－SiC结晶层组成．适当控制碳化条件可以调整3C－SiC结晶层的比例．
%K 硅
%K 碳化层
%K 碳化硅
%K 结晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1ED98C08DD4970B6&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=E3094127AA4ABC1A&eid=CA9ED1AB4D9E3E04&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=0