%0 Journal Article
%T 全内反射型半导体光波导开关的位相变化
%A 王德煌
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 理论分析了全内反射型半导体光波导开关内的位相关系.数值计算了1.3μm InGaAsP/InP全内反射型光波导开关内的反射TE模和TM模的位相变化δ_s、δ_p和它们间相对位相差△δ.结果表明,光波导开关内开关区介质折射率变化量△n、吸收系数α和传输角θ_p对δ_s、δ_p和△δ值均有很大影响,它们间都有一种非线性变化关系.结果还表明,由于反射TE模和反射TM模间存在有相对位相差,全内反射型光波导开关将是一种有偏振特征的元器件.
%K 光波导开关
%K 位相
%K 全内反射型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2AC45E64866C86BE&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8F2250DA83AF77B8&eid=FE6B7E9BDCCDBAA6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5