%0 Journal Article
%T 硅太阳电池发射区复合的分析
%A 丘思畴
%A 左磊
%A 丘睦钦
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.
%K 硅太阳能电池
%K 发射区
%K 掺杂效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2EF3A62F193E0941&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=CDC418F38C4BFD60&eid=1FA4E9C3E6E88FC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0