%0 Journal Article
%T 掺磷氢化硅低温微晶化的研究
%A 耿新华
%A 孟志国
%A 陆靖谷
%A 孙钟林
%A 徐温元
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n~+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30(Qcm)~(-1),电导激活能近似为零的微晶化材料.对微昌化材料的结构进行了小角度X光衍射,拉曼散射谱的分析,并用扫描电镜观察了形貌.这种材料的晶粒较小而且结构均匀.又由于生长温度低,rf功率小,有利于与其它器件工艺匹配.文章对实验结果进行了讨论.
%K 掺磷
%K 微晶硅
%K 制造
%K 辉光放电法
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1C3CF47C63177609&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=AF4A4411BB448A36&eid=A3F93694B058F76C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1