%0 Journal Article
%T 对氢化非晶硅薄膜Raman谱TA模的观测
%A 何宇亮
%A 程光煦
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 对a-Si:H及μC-Si:H膜的Raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分析研究a-Si:H膜中结构变化及其晶化过程的规律.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A4EDFE9B068B894B&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=8C044EC256B1039D&eid=6313C162FF75889A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0