%0 Journal Article
%T 半导体超晶格界面附近的电荷转移
%A 王仁智
%A 黄美纯
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文采用LMTO能带从头计算方法,研究了(GaAs)_1(AlAs)_1(001)和(GaAs)_2(AlAs)_2(001)超晶格界面附近的电荷转移状况,分析了引起电荷转移的电负性和对称性因素,给出了电荷转移方向的判据.
%K 半导体超晶格
%K 界面
%K 电荷转移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EFB1ED0A865AD56F&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=BB98BB04E861B6F5&eid=A726E84831FE609B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3