%0 Journal Article
%T Interdiffusion of Si and Ge Atoms During Epitaxy Growth of Ge Layer on Si (100) Studied by Raman Spectroscopy<br>Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱
%A JIANG Wei
%A |rong
%A ZHOU Xing
%A |fei
%A SHI Bin
%A HU Dong
%A |zhi
%A LIU Xiao
%A |han
%A JIANG Zui
%A |min
%A ZHANG Xiang
%A |jiu
%A <br>蒋伟荣
%A 周星飞
%A 施斌
%A 胡冬枝
%A 刘晓晗
%A 蒋最敏
%A 张翔九
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的互扩散,在650℃下也没有观察到明显的界面互混.没有Sb时,在500℃下已存在一定程度的界面互混,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强.这种互扩散的差别与成岛生长时应变释放有关
%K Ge/Si interdiffusion
%K MBE
%K Raman spectroscopy
%K surfactant<br>Ge/Si互扩散
%K 分子束外延
%K 喇曼光谱
%K 表面活化剂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=981681659920C6E0&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A0C7970CD30381EA&eid=1C3BB0F444F5E427&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=14