%0 Journal Article
%T 与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究
%A 孙鲁
%A 张树霖
%A 张录
%A 关旭东
%A 韩汝琦
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据
%K 多孔硅
%K 发光特性
%K 电致发光器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DAAA92B59D3F3094&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=C81F81170838C444&eid=07034C6B9EA4A53C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4