%0 Journal Article
%T 多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术
%A 何美华
%A 张利春
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层中的净掺杂浓度，有效地减小了外基区－集电区单位面积的集电结电容，有利于器件和电路速度的提高．由于内基区下对应的外延层浓度不变，对器件的直流特性无不良影响．本文给出了补偿注入研究结果和器件特性．
%K 多晶硅
%K 发射极晶体管
%K 集电区
%K 双极晶体管
%K 注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=16FDFCF0ACC0D3D8&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=51C74DF6A16DA45B&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0