%0 Journal Article
%T 注F MOS器件的可靠性研究
%A 张国强
%A 陆妩
%A 范隆
%A 余学锋
%A 郭旗
%A 任迪远
%A 严荣良
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中F的引入，能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度．F－Si键的形成将减小MOS栅氧介质的电导率．
%K MOS器件
%K 可靠性
%K 注入
%K 氟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F6AD1EAE49A48C05&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=E42CAFB11D4BE21A&eid=DFEE4E8C33C95CEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7