%0 Journal Article
%T Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究
%A 钟建国
%A 谢钦熙
%A 张恕明
%A 乔怡敏
%A 袁诗鑫
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。
%K Ⅱ—Ⅵ族化合物
%K 分子束外延
%K SIMS、RHEED
%K X光衍射
%K 晶向偏角
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D147D653FE079A4C&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=34D13857B558254E&eid=F4C2D192FB73A21F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0