%0 Journal Article
%T Characteristics of Direct Wafer Bonded InP Materials<br>InP材料直接键合技术
%A LI Ning
%A HAN Yan-jun
%A HAO Zhi-biao
%A SUN Chang-zheng
%A LUO Yi
%A <br>李宁
%A 韩彦军
%A 郝智彪
%A 孙长征
%A 罗毅
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .
%K direct wafer bonding
%K InP
%K semiconductor laser<br>直接键合
%K InP
%K 半导体激光器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=23BBBE6B687B321D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=CBB937218406B640&eid=EC37857E7CB2811A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=9