%0 Journal Article
%T Simulation on Current Rating of GAT Type High-Speed High-Voltage Power Transistors<br>GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真
%A 王哲
%A 亢宝位
%A 吴郁
%A 程序
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 ,而对其他特性无明显不良影响
%K current rating
%K layout
%K diffused surface concentration<br>最大集电极电流
%K 版图
%K 扩散表面浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=89D8BF61E1515C65&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8D71AF42ACD39979&eid=231F9A307C169827&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3