%0 Journal Article
%T Conductive Behavior of Al/a-Si∶H Bilayer Thin Films<br>Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能
%A Wang Ruichun
%A Du Piyi
%A Weng Wenjian
%A Han Gaorong
%A <br>王瑞春
%A 杜丕一
%A 翁文剑
%A 韩高荣
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 .结果表明 ,Al/a Si∶H复合薄膜在不高于 2 5 0℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相 .退火温度越高 ,Al层越厚 ,形成多晶硅的量越多 .Al/a Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a Si∶H中掺杂效应的影响 ,比纯a Si∶H薄膜的大 .随着硅晶体相在复合薄膜中的生成 ,复合薄膜的电导率受晶相比控制 ,晶相比增加 ,电导率增大 .
%K a-Si∶H
%K Al诱导晶化
%K 双层复合薄膜
%K 多晶硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=664C6B9E7DBE470B&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=0AFD076159674A31&eid=AF41770817DB8958&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17